'중국에 반도체 기술 유출' 삼성전자 전 직원 구속기소

성규환 부산닷컴 기자 bastion@busan.com
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서울 서초구 서울중앙지방검찰청. 연합뉴스 서울 서초구 서울중앙지방검찰청. 연합뉴스

반도체 핵심 기술을 중국 회사에 유출한 혐의를 받는 삼성전자와 협력업체 전직 직원이 구속 상태로 재판에 넘겨졌다.


3일 연합뉴스 등에 따르면 서울중앙지검 정보기술범죄수사부(이춘 부장검사)는 전직 삼성전자 부장 김 모 씨와 협력업체 A 사 전 부장 방 모 씨를 산업기술보호법 위반 등 혐의로 이날 구속기소했다.


검찰에 따르면 김 씨는 국가 핵심기술인 삼성전자의 18나노 D램 반도체 공정 정보를 무단 유출해 중국 기업인 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 제품 개발에 사용하게 한 혐의 등을 받는다. 방 씨는 김 씨와 공모해 반도체 장비를 납품하는 A 사의 설계기술자료를 CXMT에 넘긴 혐의를 받는다. CXMT는 설립 수년 만에 중국의 주요 D램 반도체 업체로 빠르게 성장해 한국·미국 경쟁사들과의 기술 격차를 좁혀나가고 있다.


검찰은 김 씨가 2016년 신생 업체인 CXMT로 이직하면서 반도체 '증착' 관련 자료와 7개 핵심 공정 관련 기술 자료를 유출하고 수백억원대 금품을 수수한 것으로 의심하고 있다. 또 김 씨가 최소 세후 5억원이 넘는 금액을 제시하며 삼성전자와 관계사의 기술 인력 20여명을 빼간 것으로 파악했다. 이와 관련해 김 씨와 방 씨는 지난달 15일 구속됐다.


검찰은 기술 유출 범행에 가담한 이들이 상당수 더 있는 것으로 보고 관련 수사를 진행 중이다. 공범 1명은 이미 구속기소한 것으로 알려졌다. 앞서 지난해 6월에도 삼성전자 반도체 공장을 통째로 복제한 공장을 중국에 설립하려 한 혐의로 삼성전자 전 상무가 구속기소됐다.


방문규 산업통상자원부 장관이 20일 오전 서울 중구 대한상공회의소에서 열린 산업기술보호위원회를 주재하고 있다. 연합뉴스 방문규 산업통상자원부 장관이 20일 오전 서울 중구 대한상공회의소에서 열린 산업기술보호위원회를 주재하고 있다. 연합뉴스

이와 관련해 방문규 산업통상자원부 장관은 지난달 20일 "산업기술의 보호를 위해서는 무엇보다 유출자에 대한 엄정한 처벌이 중요하다"며 산업기술보호법 개정과 양형기준 현실화가 필요하다고 밝혔다. 산업기술 유출자에 대한 처벌을 강화하는 내용이 핵심인 산업기술보호법은 처벌 구성 요건을 목적범에서 고의범으로 확대하고 벌금을 현행 15억원에서 65억원으로 상향했다. 징벌적 손해배상 한도도 기존 3배에서 5배로 상향하는 내용을 담았다.


방 장관은 "지금까지와는 비교할 수 없는 강력한 처벌"이라며 "한시라도 빠른 국회 통과가 필요하다"고 말했다. 또 방 장관은 현재 기술 유출 사범에 대한 양형기준이 법정형 대비 낮다고 지적했다. 국가핵심기술 유출에 대한 법정형은 '3년 이상 징역'이지만 양형기준은 1년∼3년 6개월로 법정형보다 낮다. 산업부는 양형기준을 최소 3년 6개월∼5년으로 상향해야 한다는 의견을 대법원 양형위원회에 제시한 상태다.


방 장관은 "수십조의 기술이 해외로 유출돼도 초범이라는 이유, 또는 단지 반성한다는 이유로 집행유예가 선고되거나 형량이 대폭 감경되는 상황은 앞으로 없어야 할 것"이라고 했다.


성규환 부산닷컴 기자 bastion@busan.com

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