SK하이닉스, 美 인디애나 HBM 공장 착공

입력 : 2026-08-28 10:08:36

남유정 기자 honeybee@busan.com

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2029년 미국산 HBM 양산 목표
퍼듀대와 R&D MOU 체결 협력

곽노정 SK하이닉스 CEO가 27일(현지시간) 미국 인디애나주 웨스트라피엣 퍼듀대학교에서 열린 AI 메모리 생산 기지 기공식에서 사업 전략과 비전을 발표하고 있다. SK하이닉스 제공

SK하이닉스가 미국 내 고대역폭메모리(HBM) 생산거점이 될 인디애나주 공장 건설을 본격화한다. 오는 2029년 미국산HBM양산을 시작하며 연간 수십만장 규모의 생산능력을 갖출 계획이다.

SK하이닉스는 27일(현지 시간) 오전 미 인디애나주 웨스트라피엣의 퍼듀대 할로웨이체육관에서 인공지능(AI) 메모리용 어드밴스드 패키징 생산기지 기공식을 개최했다고 28일 밝혔다. SK하이닉스가 미국 내 HBM 생산시설을 건립하는 건 처음이다.

기공식에 참석한 곽노정SK하이닉스 대표이사 사장은 인디애나 팹의 HBM생산 능력이 연간 수십만장이 될 것이라고 밝혔다. 매년 이 공장에서 D램(RAM) 웨이퍼 수십만장을 토대로 후공정을 통해 HBM을 만들겠다는 의미다. 현재 업계에 알려진SK하이닉스의 D램 생산량은 연600만장 규모다. 이 중 일부가 HBM에 쓰인다.

미국 인디애나주 웨스트라피엣에 지어질 SK하이닉스 고대역폭메모리(HBM) 패키징 공장 조감도. SK하이닉스 제공

곽 사장은 “인디애나 프로젝트는 미국 최초의HBM생산 거점을 구축하는 것”이라며 “메이드 인 USA HBM을 처음 공급하는 핵심 거점이자 미 반도체 공급망을 강화하고 경제·안보에 기여하는 주요 기반이 될 것”이라고 말했다.

인디애나 팹은 한국에서 생산된 D램 칩들을 묶거나 쌓아 HBM을 만드는 어드밴스드 패키징(후공정)과 차세대 HBM연구·개발(R&D)을 병행한다.

SK하이닉스는 차세대인 7세대(HBM4E) HBM개발과 테스트를 위해 엔지니어링 분야에서 실력을 인정받는 미 퍼듀대학교와 합작하는R&D강화 양해각서(MOU)를 맺었다. 이를 통해 퍼듀대의 우수 인재를 유치할 계획이다.

팹이 본격 가동되면 약1000명 규모의 인력이 일하게 될 것으로 보인다. 팹 건설·운영 인력과 100여개 협력 소재·부품·장비 공급망을 고려하면 약 7000명의 직·간접 일자리 창출이 기대된다고 곽 사장은 설명했다.

남유정 기자 honeybee@busan.com

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