중장기 낸드 수요 확대 대응 평택캠퍼스 클린룸 공사 착수

삼성전자 경기도 평택캠퍼스 P2라인 전경. 삼성전자 제공

지난달 10조 원 규모로 알려진 파운드리 라인투자를 발표한 삼성전자가 1일 약 9조 원 규모의 메모리 반도체 추가 투자를 발표했다. 이로써 경기도 평택캠퍼스가 최첨단 반도체 복합생산기지로 발돋움할 것이란 분석이다.

삼성전자는 지난달 평택캠퍼스 2라인에 낸드플래시 생산을 위한 클린룸 공사에 착수했으며, 내년 하반기 양산을 시작할 계획이라고 1일 밝혔다

이번 투자는 인공지능(AI), 사물인터넷(IoT) 등 4차 산업혁명 도래와 5G 보급에 따른 중장기 낸드 수요 확대에 대응하기 위해서다.

특히 최근 ‘언택트’ 라이프스타일 확산으로 이런 추세가 더욱 가속화할 것으로 예상되면서 삼성전자는 적극적인 투자로 미래 시장기회를 선점해 나간다는 전략이다.

2015년 조성된 평택캠퍼스는 삼성전자의 차세대 메모리 전초기지로서 세계 최대규모의 생산라인 2개가 건설됐다. 이번 투자로 증설된 라인에서는 삼성전자의 최첨단 V낸드 제품이 양산될 예정이다.

삼성전자는 2002년 낸드플래시 시장 1위에 올라 현재까지 18년 이상 독보적인 제조·기술경쟁력으로 글로벌 시장 리더의 자리를 지키고 있으며 지난해 7월 업계 최초로 6세대 V낸드 제품을 양산한 바 있다. 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실 최철 부사장은 “이번 투자는 불확실한 환경 속에서도 메모리 초격차를 더욱 확대하기 위한 노력”이라고 밝혔다. 배동진 기자 djbae@