타이베이 ‘컴퓨텍스 2026’
차세대 열관리 HPB 적용
효율적으로 열 분산·방출

삼성전자 송재혁 CTO(최고기술책임자)가 2일(현지 시간) 대만에서 열린 ‘컴퓨텍스 2026’에서 8세대 ‘HBM5’와 열관리 기술 ‘HPB’에 대해 설명하고 있다. 연합뉴스

삼성전자가 8세대 ‘HBM5’의 첫 실물모형(목업)을 공개하며 차세대 HBM(고대역폭메모리) 기술 선점을 선언했다. 6세대 HBM4를 업계 최초로 양산 출하하고, 7세대 HBM4E 샘플을 가장 먼저 고객사에 공급한 데 이어 차세대 HBM 시장에서도 기술 리더십을 가져가겠다는 전략으로 보인다.

삼성전자는 2일 대만 타이베이에서 열린 ‘컴퓨텍스 2026’에서 HBM5 목업을 처음으로 공개하고 HBM5에 처음으로 적용될 차세대 열관리 기술 ‘HPB(히트 패스 블록)’ 구조를 소개했다.

HPB는 인공지능(AI) 메모리 고성능화 과정에서 증가하는 발열 문제를 해결하기 위한 기술로, 물리적 표면에서 발생하는 열을 보다 효율적으로 분산·방출할 수 있도록 설계된 것이 특징이다.

삼성전자는 이미 HBM4E 기반으로 HPB 기술 구현과 검증을 마쳤다. 향후 HBM5부터 본격 적용해 성능과 안정성을 더욱 고도화할 계획이다. 삼성전자는 HBM5에 1c(10나노급 6세대) D램과 2나노 공정을 선제적으로 적용할 계획이다.

삼성전자 송재혁 CTO(최고기술책임자)는 이날 삼성디스플레이 부스에서 “고객이 요구하는 메모리 대역폭을 최고로 높이는 과정에서 베이스 다이 특정 영역에 발열 문제가 발생할 수 있는데, 여기에 일종의 굴뚝 같은 구조를 추가해 열 저항을 낮추고 동작 안정성을 높였다”고 설명했다. 이어 “HBM5에 첫 적용을 계획하고 있지만 고객의 요구에 따라 적용 시점은 당길 수 있다”고 덧붙였다.

송 CTO는 “급변하는 AI 산업에 대응하기 위해서는 메모리·파운드리·로직·패키징까지 아우르는 토탈 설루션 경쟁력이 더욱 중요해지고 있다”면서 “종합 예술과도 같은 AI 기술을 삼성전자가 종합 반도체 회사로서 충분히 서포트할 수 있다는 점을 이번 전시에서 강조했다”고 말했다.

한편 삼성전자는 이번 전시에서 지난달 말 업계 최초로 샘플 출하를 마친 HBM4E의 웨이퍼와 칩셋도 공개했다. 지난 2월에도 업계 최초로 HBM4 양산 출하를 마쳤다. HBM4는 올해 하반기 출시되는 엔비디아의 차세대 AI 가속기 ‘베라 루빈’에 탑재된다.

배동진 기자 djbae@busan.com